Indtil nu, monokrystallinske silicium solpaneler har udviklet sig hurtigt inden for både forskning og industrialisering.

Blandt de mange faktorer, der påvirker C-Si-celler, gør forbedringen af ​​kvaliteten af ​​siliciumskiver bulkrekombinationen mindre og mindre, og udviklingen af ​​nye passiveringslag og deres præparationsteknologi reducerer overfladerekombinationen i høj grad. Blandt dem bliver rekombinationen af ​​metalelektroden og C-Si-kontakten nøglefaktoren, der påvirker celleeffektiviteten og anses for at være den sidste begrænsende faktor tæt på den teoretiske grænseeffektivitet. For at reducere rekombinationen ved kontaktpunktet mellem metal og C-Si reduceres på den ene side det direkte kontaktareal mellem metal og C-Si ved delvist at åbne huller på bagsiden af ​​cellen (inklusive PERC, PERL, og PERT osv.). Selvom konverteringseffektiviteten er på eller tæt på 25%, er der stadig direkte kontakt mellem metal og C-Si i disse celler, bagsidens åbningsprocessen er kompliceret, og det vil forårsage skade på siliciummaterialet ved åbningen.

Derudover gør den lokale åbningsteknik, at bærerne ikke kun afviger fra migrationsvejen vinkelret på kontaktfladen, men også kan være overfyldte ved åbningen, hvilket fører til tab af fyldfaktor. På den anden side skal der udvikles nye kontaktskemaer, der kan opnå både fremragende overfladepassivering og adskillelse og transport af bærere uden behov for åbninger, dvs. bæreselektive passiveringskontakter. Denne løsning kan realisere passiveringen af ​​hele overfladen af ​​siliciumwaferen (inklusive kontaktområdet og det ikke-kontaktområde), og på dette tidspunkt er bærerne en-dimensionel transport mellem elektroderne i begge ender, hvilket er fordelagtigt for opnå en højere fyldfaktor, og derefter forbedre dens konverteringseffektivitet.